|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Redistribution of P atoms in oxidized P-implanted silicon during annealing |
| Auteur: |
Yokota*, Katsuhiro Aoki, Makoto Nakamura, Kazuhiro Tannjou, Masayasu Sakai, Shigeki Sekine, Kouhei Watanabe, Masanori |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 15 (2004) nr. 7 pagina's 455-461 |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |