|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 45 gevonden artikelen
| Titel: |
Micro-Raman investigations of the degree of relaxation in thin SiGe buffer layers with high Ge content |
| Auteur: |
Perova, T. S. Maurice, R. Moore, R. A. Lyutovich, K. Parry, C. P. Bauer, M. Kasper, E. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 14 (2003) nr. 5-7 pagina's 441-444 |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 45 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |