|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
The behavior of Ti silicidation on Si/SiGe/Si base and its effect on base resistance and fmax in SiGe hetero-junction bipolar transistors |
| Auteur: |
Lee, Seung-Yun Kim, Hong-Seung Lee, Sang-Heung Shim, Kyu-Hwan Kang, Jin-Yeong Song, Min-Kyu |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 12 (2001) nr. 8 pagina's 467-472 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |