|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
The behavior of Ti silicidation on Si/SiGe/Si base and its effect on base resistance and f_{\curr max} in SiGe hetero-junction bipolar transistors |
| Auteur: |
Seung-Yun Lee Hong-Seung Kim Sang-Heung Lee Kyu-Hwan Shim Jin-Yeong Kang Min-Kyu Song |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 12 (2001) nr. 8 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2001-08 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston, U.S.A |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |