|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Band offsets and electron transport calculation for strained Si1-x-yGexCy/Si heterostructures |
| Auteur: |
Dollfus, P. Galdin, S. Hesto, P. Osten, H. J. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 12 (2001) nr. 4-6 pagina's 245-248 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |