|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Antimony and boron diffusion in SiGe and Si under the influence of injected point defects |
| Auteur: |
Bonar, J. M. Willoughby, A. F. W. Dan, A. H. McGregor, B. M. Lerch, W. Loeffelmacher, D. Cooke, G. A. Dowsett, M. G. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 12 (2001) nr. 4-6 pagina's 219-221 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |