|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
High-quality n-Si/i-p+-i SiGe/n-Si structure grown by ultra high vacuum chemical molecular epitaxy |
| Auteur: |
Zhang, Jinshu Jia, Hongyong Chen, Peiyi Tsien, Pei-Hsin Feng, M. X. Lin, Q. Y. Lo, Tai-Chin |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 10 (1999) nr. 7 pagina's 525-528 |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |