|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
High-quality \hbox{n-Si/i-}\hbox{p}^+\hbox{-i SiGe/n-Si} structure grown by ultra high vacuum chemical molecular epitaxy |
| Auteur: |
Jinshu Zhang Hongyong Jia Peiyi Chen Pei-Hsin Tsien M. X. Feng Q. Y. Lin Tai-Chin Lo |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 10 (1999) nr. 7 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1999-09 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston, U.S.A |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |