|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 25 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation of the influence of the gate dielectric on amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistor reliability |
| Auteur: |
Labed, Mohamed Sengouga, Nouredine |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 18 (2019) nr. 2 pagina's 509-518 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 25 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |