|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 26 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of a novel SOI LDMOS using p+ buried islands in the drift region by numerical simulations |
| Auteur: |
Lei, Jianmei Hu, Shengdong Yang, Dong Huang, Ye Yuan, Qi Guo, Jingwei Zeng, Linghui Wang, Siqi Yang, Xuan |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 17 (2018) nr. 2 pagina's 646-652 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 26 van 41 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |