|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
High-k dielectric materials for the gate oxide of a MIS capacitor: effect of interface states on the C–V characteristics |
| Auteur: |
Hlali, Slah Hizem, Neila Kalboussi, Adel |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 15 (2016) nr. 4 pagina's 1340-1350 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |