|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 35 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
Role of annealing temperature in the oxide charge distribution in high-$$\kappa $$κ-based MOS devices: simulation and experiment |
| Auteur: |
Biswas, Debaleen Chakraborty, Ayan Chakraborty, Supratic |
| Verschenen in: |
Journal of computational electronics |
| Paginering: | Jaargang 15 (2016) nr. 3 pagina's 795-800 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 35 van 44 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |