|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 28 van 37 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation study of a 1200V 4H–SiC lateral MOSFETs with Double-RESURFs technology for reducing saturation current |
| Auteur: |
Wu, Lijuan He, Jiahong Shen, Zhipeng Zhu, Gengbin Tang, Qiqi Yi, Zongyang Yang, Guanglin Yang, Deqiang |
| Verschenen in: |
Micro and nanostructures |
| Paginering: | Jaargang 205 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 28 van 37 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |