|
Charge compensation impact on the access region resistance in AlGaN/GaN devices |
|
|
|
Titel: |
Charge compensation impact on the access region resistance in AlGaN/GaN devices |
Auteur: |
He, Junxian Ding, Guojian Xu, Wenjun Wang, Fangzhou Feng, Qi Yu, Cheng Zhang, Yujian Wang, Xiaohui Sun, Ruize He, Miao Wang, Yang Chen, Wanjun Jia, Haiqiang Chen, Hong |
Verschenen in: |
Micro and nanostructures |
Paginering: |
Jaargang 176 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2023 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|