|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
A new preparation approach for high-resolution TEM analysis of electrically active defects in p-GaN HEMT devices from two orthogonal perspectives |
| Auteur: |
Diehle, Patrick Altmann, Frank Hübner, Susanne Bruckmeier, Johannes Neumann, Richard Stabentheiner, Manuel Ostermaier, Clemens |
| Verschenen in: |
Power electronic devices and components |
| Paginering: | Jaargang 11 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |