|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Physical and electrical characterizations of low n-doped MOCVD GaN-on-sapphire layers for power electronics applications |
| Auteur: |
Ignoumba-Ignoumba, Ndembi Sonneville, Camille Bidaud, Adrien Brosselard, Pierre Frayssinet, Eric Bartoli, Florian Cordier, Yvon Medjdoub, Farid Planson, Dominique Buttay, Cyril |
| Verschenen in: |
Power electronic devices and components |
| Paginering: | Jaargang 11 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Author(s) |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |