|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
DC and microwave characteristics of Lg 50nm T-gate InAlN/AlN/GaN HEMT for future high power RF applications |
| Auteur: |
Murugapandiyan, P. Ravimaran, S. William, J. |
| Verschenen in: |
A.E.Ü. |
| Paginering: | Jaargang 77 (2017) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier GmbH |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |