Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
   volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 1 van 34 gevonden artikelen
 
 
  A 0.15 μm GaN HEMT device to circuit approach towards dual-band ultra-low noise amplifier using defected ground bias technique
 
 
Titel: A 0.15 μm GaN HEMT device to circuit approach towards dual-band ultra-low noise amplifier using defected ground bias technique
Auteur: Gupta, Manishankar Prasad
Kumar, Sandeep
Elizabeth Caroline, B.
Song, Hanjung
Kumar, Vijay
Gorre, Pradeep
Verschenen in: A.E.Ü.
Paginering: Jaargang 168 () nr. C pagina's p.
Jaar: 2023
Inhoud:
Uitgever: Elsevier GmbH
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 1 van 34 gevonden artikelen
 
   volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland