|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
A 2-D Modeling of Fe doped Dual Material Gate AlGaN/AlN/GaN High Electron Mobility Transistors for High Frequency Applications |
| Auteur: |
Sowmya, K. Balamurugan, N.B. Parvathy, V. |
| Verschenen in: |
A.E.Ü. |
| Paginering: | Jaargang 103 (2019) nr. C pagina's 46-56 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier GmbH |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 9 gevonden artikelen
| volgende >> |