|
Pulsed Laser Annealing of Phosphorous-Implanted 4H-SiC: Electrical and Structural Characteristics |
|
|
|
Titel: |
Pulsed Laser Annealing of Phosphorous-Implanted 4H-SiC: Electrical and Structural Characteristics |
Auteur: |
Wu, Jingmin He, Zhi Guo, Zhiyu Tian, Run Wang, Fengxuan Liu, Min Yang, Xiang Fan, Zhongchao Yang, Fuhua |
Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
Paginering: |
Jaargang 51 () nr. 1 pagina's 172-178 |
Jaar: |
2021-10-18 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, New York |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|