|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 50 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical Model for Two-Dimensional Electron Gas Charge Density in Recessed-Gate GaN High-Electron-Mobility Transistors |
| Auteur: |
Sharbati, Samaneh Gharibshahian, Iman Ebel, Thomas Orouji, Ali A. Franke, Wulf-Toke |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 50 () nr. 7 pagina's 3923-3929 |
| Jaar: |
2021-04-20 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 50 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |