|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
Optical and Electrical Study of Defects in GaN In Situ Doped with Eu3+ Ion Grown by OMVPE |
| Auteur: |
Wang, Jingzhou Koizumi, Atsushi Fujiwara, Yasufumi Jadwisienczak, Wojciech M. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 45 (2016) nr. 12 pagina's 6355-6362 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 41 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |