|
Defect Reduction in AlN Epilayers Grown by MOCVD via Intermediate-Temperature Interlayers |
|
|
|
Titel: |
Defect Reduction in AlN Epilayers Grown by MOCVD via Intermediate-Temperature Interlayers |
Auteur: |
Chen, Shengchang Li, Yang Ding, Yanyan Li, Senlin Zhang, Min Wu, Zhihao Fang, Yanyan Dai, Jiangnan Chen, Changqing |
Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
Paginering: |
Jaargang 44 (2014) nr. 1 pagina's 217-221 |
Jaar: |
2014 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, Boston |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|