|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 33 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of Ni Concentration on the Performance of Ni Silicide/HfO2/TiN Resistive RAM (RRAM) Cells |
| Auteur: |
Chen, Z.X. Fang, Z. Wang, Y. Yang, Y. Kamath, A. Wang, X.P. Singh, N. Lo, G.-Q. Kwong, D.-L. Wu, Y.H. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 43 (2014) nr. 11 pagina's 4193-4198 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 33 van 61 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |