|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 37 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of ALD Beryllium Oxide as a Potential High-k Gate Dielectric for Low-Leakage AlGaN/GaN MOSHEMTs |
| Auteur: |
Johnson, Derek W. Yum, Jung Hwan Hudnall, Todd W. Mushinski, Ryan M. Bielawski, Christopher W. Roberts, John C. Wang, Wei-E Banerjee, Sanjay K. Harris, H. Rusty |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 43 (2013) nr. 1 pagina's 151-154 |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 37 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |