|
Improved Optoelectronic Properties of Rapid Thermally Annealed Dilute Nitride GaInNAs Photodetectors |
|
|
|
Titel: |
Improved Optoelectronic Properties of Rapid Thermally Annealed Dilute Nitride GaInNAs Photodetectors |
Auteur: |
Tan, S.L. Hunter, C.J. Zhang, S. Tan, L.J.J. Goh, Y.L. Ng, J.S. Marko, I.P. Sweeney, S.J. Adams, A.R. Allam, J. David, J.P.R. |
Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
Paginering: |
Jaargang 41 (2012) nr. 12 pagina's 3393-3401 |
Jaar: |
2012 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, Boston |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|