|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparative Studies of Carrier Dynamics in 3C-SiC Layers Grown on Si and 4H-SiC Substrates |
| Auteur: |
Ščajev, Patrik Hassan, Jawad Jarašiūnas, Kęstutis Kato, Masashi Henry, Anne Bergman, J. Peder |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 40 (2010) nr. 4 pagina's 394-399 |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |