|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
An Investigation of the Electrical Degradation of GaN
High-Electron-Mobility Transistors by Numerical Simulations
of DC Characteristics and Scattering Parameters |
| Auteur: |
Di Lecce, Valerio Esposto, Michele Bonaiuti, Matteo Fantini, Fausto Meneghesso, Gaudenzio Zanoni, Enrico Chini, Alessandro |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 40 (2010) nr. 4 pagina's 362-368 |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |