|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Heavily Aluminum-Doped Epitaxial Layers for Ohmic Contact Formation to p-Type 4H-SiC Produced by Low-Temperature Homoepitaxial Growth |
| Auteur: |
Krishnan, B. Kotamraju, S.P. Melnychuk, G. Das, H. Merrett, J. N. Koshka, Y. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 39 (2009) nr. 1 pagina's 34-38 |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |