|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Defects in annealed 1.5 MeV boron implanted p-type silicon |
| Auteur: |
Dai, J. Y. Ong, K. K. Chi, D. Z. Liang, M. H. Leong, K. C. Chan, L. Lahiri, S. K. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 30 (2001) nr. 7 pagina's 850-854 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |