|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
A study of cracking in GaN grown on silicon by molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Jothilingam, R. Koch, M. W. Posthill, J. B. Wicks, G. W. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 30 (2001) nr. 7 pagina's 821-824 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 22 gevonden artikelen
| volgende >> |