|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of in situ annealing on highly-mismatched In0.75Ga0.25As on InP grown using molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Ren, Y. Micovic, M. Cai, W. Z. Mohney, S. Lord, S. M. Miller, D. L. Mayer, T. S. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 28 () nr. 7 pagina's 887-893 |
| Jaar: |
1999-04-02 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |