Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 6 van 26 gevonden artikelen
 
 
  Influence of the oxygen content in SiGe on the parameters of Si/SiGe heterojunction bipolar transistors
 
 
Titel: Influence of the oxygen content in SiGe on the parameters of Si/SiGe heterojunction bipolar transistors
Auteur: Knoll, D.
Heinemann, B.
Bolze, D.
Ehwald, K. E.
Fischer, G.
Krüger, D.
Morgenstern, T.
Naumann, E.
Schley, P.
Tillack, B.
Wolansky, D.
Verschenen in: Journal of electronic materials
Paginering: Jaargang 27 (1998) nr. 9 pagina's 1022-1026
Jaar: 1998
Inhoud:
Uitgever: Springer-Verlag, New York
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 6 van 26 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland