|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of the oxygen content in SiGe on the parameters of Si/SiGe heterojunction bipolar transistors |
| Auteur: |
Knoll, D. Heinemann, B. Bolze, D. Ehwald, K. E. Fischer, G. Krüger, D. Morgenstern, T. Naumann, E. Schley, P. Tillack, B. Wolansky, D. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 27 () nr. 9 pagina's 1022-1026 |
| Jaar: |
1998-04-03 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |