|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Stoichiometry-dependent deep levels in undoped p-type Al0.38Ga0.62As grown by liquid phase epitaxy |
| Auteur: |
Watanabe, Hiroshi Motozawa, Mitsutake Suto, Ken Nishizawa, Jun-Ichi |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 27 (1998) nr. 8 pagina's 979-984 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |