|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
New trench gate power MOSFET with high breakdown voltage and reduced on-resistance using a SiGe zone in drift region |
| Auteur: |
Mehrad, Mahsa Orouji, Ali A. |
| Verschenen in: |
Current applied physics |
| Paginering: | Jaargang 12 (2012) nr. 5 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |