|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of recrystallized depth and dopant distribution in laser recovery of grinding damage in single-crystal silicon |
| Auteur: |
Niitsu, Keiichiro Tayama, Yu Kato, Taketoshi Maehara, Hidenobu Yan, Jiwang |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 82 () nr. C pagina's 54-61 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |