|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation and characterization of Ge1−x−y Si x Sn y/Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1−x−ySixSny layers |
| Auteur: |
Fukuda, Masahiro Yamaha, Takashi Asano, Takanori Fujinami, Syunsuke Shimura, Yosuke Kurosawa, Masashi Nakatsuka, Osamu Zaima, Shigeaki |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 70 (2017) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |