|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication of asymmetric Ge Schottky tunneling source n-channel field-effect transistor and its characterization of tunneling conduction |
| Auteur: |
Yamamoto, Keisuke Okamoto, Hayato Wang, Dong Nakashima, Hiroshi |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 70 (2017) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |