|
Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La2O3/La2O3/Ge high-k gate-stacks |
|
|
|
Titel: |
Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La2O3/La2O3/Ge high-k gate-stacks |
Auteur: |
Kanashima, T. Yamashiro, R. Zenitaka, M. Yamamoto, K. Wang, D. Tadano, J. Yamada, S. Nohira, H. Nakashima, H. Hamaya, K. |
Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
Paginering: |
Jaargang 70 (2017) nr. C pagina's 5 p. |
Jaar: |
2017 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|