|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Type and charge states of point defects in heavily As- and B-doped silicon |
| Auteur: |
Nakabayashi, Y. Osman, H.I. Yokota, K. Toyonaga, K. Matsumoto, S. Murota, J. Wada, K. Abe, T. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 6 (2003) nr. 1-3 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |