|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 55 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of gate insulator thickness on device performance of InGaZnO thin-film transistors |
| Auteur: |
Ding, Xingwei Zhang, Jianhua Shi, Weimin Ding, He Zhang, Hao Li, Jun Jiang, Xueyin Zhang, Zhilin Fu, Chaoying |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 29 (2015) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 55 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |