|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 55 gevonden artikelen
| Titel: |
Design analysis of polarization-doped N-face InGaN/GaN light-emitting diodes with different Al x Ga1−x N graded layers |
| Auteur: |
Yang, G.F. Tong, Y.Y. Xie, F. Yan, D.W. Wang, F.X. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 29 (2015) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 55 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |