|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 138 gevonden artikelen
| Titel: |
Characteristics of tantalum-doped silicon oxide-based resistive random access memory |
| Auteur: |
Hsieh, Wei-Kang Lam, Kin-Tak Chang, Shoou-Jinn |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 27 (2014) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 138 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |