|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 57 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparative performance of MoS₂ transistors: Statistical study and one-transistor-one-resistive memory integration |
| Auteur: |
Khorramshahi, Fatemeh Bohuslavskyi, Heorhii Murros, Anton Piacentini, Agata Heuken, Michael Lemme, Max Neumaier, Daniel Persson, Karl-Magnus |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 190 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 57 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |