|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 38 gevonden artikelen
| Titel: |
High crystal quality β-Ga2O3 epitaxial films grown on porous n-GaN substrates |
| Auteur: |
Chen, Rongrong Zhao, Chongchong Luan, Caina Ma, Jin Xiao, Hongdi |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 168 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 38 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |