|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate leakage mechanisms of the AlGaN/GaN HEMT with fluorinated graphene passivation |
| Auteur: |
Ding, Xiaoyu Song, Liang Yu, Guohao Cai, Yong Sun, Yuhua Zhang, Bingliang Du, Zhongkai Zeng, Zhongming Zhang, Xinping Zhang, Baoshun |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 162 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |