|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
First-principles study on silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation |
| Auteur: |
Kageshima, Hiroyuki Akiyama, Toru Shiraishi, Kenji |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 162 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |