|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Origin of forward bias capacitance peak and intersection behavior of C and G/w of Ag/p-InP Schottky barrier diodes |
| Auteur: |
Korucu, D. Turut, A. Turan, R. Altindal, Ş. |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 16 (2013) nr. 2 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |