|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 65 gevonden artikelen
| Titel: |
2.57GW/cm2 normally-off composite stepped gate GaN-based HEMT with p-GaN buried layer and field plate |
| Auteur: |
Li, Jialin Yin, Yian Liao, Fengbo Lian, Mengxiao Zhang, Xichen Zhang, Keming Xie, Yafang Wu, You Zou, Bingzhi Zhang, Zhixiang Li, Jingbo |
| Verschenen in: |
Materials science in semiconductor processing |
| Paginering: | Jaargang 153 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 65 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |